[发明专利]一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法有效
| 申请号： | 201210454065.4 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103809241A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 袁苑;郁新举;吴智勇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法，包括如下步骤：1.在光刻版上画出光纤对准基座所需的通孔阵列和尺寸；2.在硅晶圆正面生长一层氧化硅薄膜；3.在硅晶圆正面涂上光刻胶，并用光纤对准基座的光刻版曝光显影阵列孔图形；4.刻蚀氧化硅薄膜作为硬质掩膜层；5.刻蚀硅深孔，刻蚀停止在硅晶圆内；6.去除刻蚀残留的光刻胶和刻蚀反应聚合物；7.刻蚀硅晶圆正面和背面残留的氧化硅薄膜；8.在硅晶圆正面贴上蓝膜，保护正面图形；9.背面研磨硅深孔刻蚀残留的硅，直到硅通孔形成；10.撕除蓝膜撕除。本发明通过刻蚀硅通孔与背面研磨相结合，既降低硅通孔刻蚀难度，同时避免刻蚀硅通孔带来的额外费用，减少了工艺成本，提高了工艺效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工艺 制作 光纤 对准 基座 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅基工艺上制作光纤对准基座阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：1.1在光刻版上画出光纤对准基座所需要的通孔阵列和尺寸；1.2在硅晶圆的正面生长一层氧化硅薄膜；1.3在生长完氧化硅薄膜的硅晶圆正面涂上光刻胶，并用光纤对准基座的光刻版曝光显影出阵列孔图形；1.4在干法刻蚀机台中刻蚀氧化硅薄膜作为硬质掩膜层；1.5在硅干法刻蚀机台中刻蚀硅深孔，刻蚀停止在硅晶圆内；1.6在去胶机台中去除刻蚀残留的光刻胶和刻蚀反应聚合物；1.7在湿法酸槽中刻蚀硅晶圆正面和背面残留的氧化硅薄膜；1.8在硅晶圆正面贴上蓝膜，保护正面图形；1.9在背面研磨机台上研磨硅深孔刻蚀残留的硅，直到硅通孔形成；1.10将硅晶圆正面的蓝膜撕除，工艺完成。
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