[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构上形成第一多晶硅材料层、位于部分第一多晶硅材料层表面的覆盖材料层，位于部分第一多晶硅材料层表面的第二多晶硅材料层；对第二多晶硅材料层、覆盖材料层、第一多晶硅材料层进行刻蚀，形成伪栅结构和多晶硅电阻。由于形成伪栅结构的多晶硅材料层包括第一多晶硅材料层和第二多晶硅材料层，而多晶硅电阻的多晶硅材料层仅为第一多晶硅材料层，使得伪栅结构表面和多晶硅电阻表面具有高度差，形成金属栅极的化学机械研磨工艺不会对多晶硅电阻及表面的金属硅化物造成影响，两者可同时形成。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，在所述半导体衬底的第二区域形成浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底和浅沟槽隔离结构表面形成栅介质材料层，在所述栅介质材料层表面形成第一多晶硅材料层，在所述第二区域的第一多晶硅材料层表面形成覆盖材料层，在所述第一区域的第一多晶硅材料层表面形成第二多晶硅材料层，所述第二多晶硅材料层和覆盖材料层表面齐平；在所述第二多晶硅材料层、覆盖材料层表面形成第一掩膜层，以所述第一掩膜层为掩膜，对所述第二多晶硅材料层、覆盖材料层、第一多晶硅材料层、栅介质材料层进行刻蚀，形成位于半导体衬底第一区域表面的伪栅结构、位于浅沟槽隔离结构上的多晶硅电阻及位于所述多晶硅电阻表面的覆盖层；在所述伪栅结构两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；在所述源区和漏区表面形成第一硅化物；刻蚀部分覆盖层，在所述多晶硅电阻两端的表面形成第二硅化物；在所述半导体衬底表面形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述伪栅结构和覆盖层，对所述第一介质层进行第一化学机械研磨，直至暴露出所述伪栅结构和覆盖层表面；去除所述伪栅结构，形成第一开口，在所述第一开口内填充满金属层，对所述金属层进行第二化学机械研磨，形成金属栅极。