[发明专利]一种微合金工艺无效
| 申请号： | 201210456755.3 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103811594A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 毛华军 | 申请（专利权）人： | 毛华军 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C10/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264006 山东省烟*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微合金工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：打开合金炉，将合金炉的气压调整到45-55psi，将合金炉的温度升至300℃，稳定10分钟；将芯片放至载片台上，将载片台载入合金炉内；微合金过程如下：预热1.5min→恒温8min→炉口冷却2.5min→炉外冷却3min；合金完后，退出合金炉，将芯片取出。发明的有益效果是：本工艺通过对微合金的工艺进行改进，增加了微合金的稳定性，减少掉电极的现象，从而提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 工艺 | ||
【主权项】：
一种微合金工艺，其特征在于，所述工艺步骤如下：打开合金炉，将合金炉的气压调整到45‑55psi，将合金炉的温度升至300℃，稳定10分钟；将芯片放至载片台上，将载片台载入合金炉内；微合金过程如下：预热1.5min→恒温8min→炉口冷却2.5min→炉外冷却3min；合金完后，退出合金炉，将芯片取出。
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