[发明专利]聚噻吩薄膜场效应晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 201210457515.5 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102931351A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 潘革波;肖燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/30;H01L51/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子导电材料的制作领域，尤其是聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，聚噻吩薄膜场效应晶体管包括栅电极、绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述有源层包括聚噻吩薄膜，在所述聚噻吩薄膜与源电极、漏电极的连接部加入具有导电性质的掺杂剂。本发明还提供这种聚噻吩薄膜场效应晶体管结构。本发明的聚噻吩薄膜场效应晶体管能提高聚噻吩薄膜的导电性能，提高载流子注入效率，从而改善聚噻吩与金属源、漏电极功函数匹配的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 噻吩 薄膜 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
聚噻吩薄膜场效应晶体管的制作方法，聚噻吩薄膜场效应晶体管包括栅电极、绝缘层、有源层、源电极和漏电极，其特征在于，所述有源层包括聚噻吩薄膜，在所述聚噻吩薄膜与源电极、漏电极的连接部加入具有导电性质的掺杂剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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