[发明专利]一种低压热壁密集装片原子层淀积设备和工艺无效
申请号: | 201210457566.8 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN102936720A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 王季陶 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种低压热壁密集装片原子层淀积设备和工艺,它包括一个反应组合气体交替脉冲气源、一个低压反应炉管、一个加热炉组、一个垂直于气流密集装片组和一个衬底片支架。该低压密集装片原子层淀积设备和工艺利用低压气体的涡流和原子层淀积的自限制生长,可实现低廉的大批量、均匀原子层淀积薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 低压 密集 原子 层淀积 设备 工艺 | ||
【主权项】:
一种低压热壁密集装片原子层淀积设备,其特征在于包括脉冲气源(101)、陪片(102)、衬底片(103)、反应管(105)、加热炉组(106)和衬底片密集支架(107),所述反应管(105)位于加热炉组(106)内,反应管(105)采用热壁加热低压的反应炉管,加热炉组(106)为环形结构,可以是一段或多段控温以达到合理的温度分布;位于反应管(105)内的衬底片(103)采用密集装片的方式布置,各衬底片(103)平面相互平行放置于衬底片密集支架(107)上,相邻衬底片(103)之间的间隔为1‑30毫米,各衬底片(103)的平面方向和反应气流的方向基本保持垂直;反应管(105)靠近气流入口处以及最远离气流入口处设有陪片(102),所述陪片(102)位于衬底片密集支架(107)上;反应管(105)内壁和衬底片(103)的四周设有2‑40毫米宽度的气体通道(104);反应管(105)一端为脉冲气源(101)的入口端,所述脉冲气源(101)入口端连接阀门;所述脉冲气源采用组合气体,通过依次打开不同的阀门,使组合气体以交替脉冲的方式进入反应管中。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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