[发明专利]铝互连装置有效
| 申请号： | 201210457689.1 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103681608B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 叶菁馥;李香寰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种铝互连装置，包括在衬底上方形成的金属结构，其中金属结构由铜铝合金形成；在金属结构下方的形成第一合金层；在第一合金层下方形成的第一阻挡层，其中通过在热工艺期间第一合金层和邻近的介电层之间的反应产生第一阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：金属结构，形成在衬底上方，其中，所述金属结构由铜铝合金形成；第一合金层，形成在所述金属结构下方；第一阻挡层，形成在所述第一合金层下方，其中，通过在热工艺期间所述第一合金层和邻近的第一介电层之间的第一反应产生所述第一阻挡层；在所述金属结构上方形成的第二合金层；以及在所述第二合金层上方形成的第二阻挡层，其中，通过在热工艺期间所述第二合金层和邻近的第二介电层之间的第二反应产生所述第二阻挡层。
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