[发明专利]用以改善线宽稳定性的SiON表面处理方法有效
| 申请号： | 201210458254.9 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103811311B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 虞颖;刘改花;郭振华;王雷;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用以改善线宽稳定性的SiON表面处理方法，该方法在SiON薄膜沉积后，进行光刻工艺前，用水汽、氧气和氮气的混合气体的等离子体对SiON薄膜进行前处理。通过对SiON抗反射层的表面进行特殊的前处理，有效地改善了0.13μm制程的光刻过程及重新光刻过程中线宽的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 改善 稳定性 sion 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
用以改善线宽稳定性的SiON表面处理方法，其特征在于，在SiON薄膜沉积后，进行光刻工艺前，用水汽、氧气和氮气的混合气体的等离子体对SiON薄膜进行前处理，等离子体用微波电源产生，条件为：射频功率0～1500瓦，腔体压力1～3托，水汽的流量为500～1000sccm，氧气的流量为1000～5000sccm，氮气的流量为100～300sccm，混合气体分两步通入，第一步通水汽30秒，第二步通氧气和氮气的混合气体60秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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