[发明专利]一种欠压浪涌保护的储能电路有效
| 申请号： | 201210458325.5 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102983561B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 彭布坤 | 申请（专利权）人： | 上海航空电器有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司31128 | 代理人： | 叶克英 |
| 地址： | 201101 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种欠压浪涌保护的储能电路，包括储能电容，其特征在于该储能电容的正极与MOS管的源极连接，MOS管的漏极通过充电电阻与输入电源的正输入端连接，MOS管的栅极通过驱动电阻与输入电源的正输入端连接，该储能电容的负极连接输入电源的负输入端，MOS管的栅极与稳压二极管的正极连接，稳压二极管的负极与MOS管的源极连接。本发明的优点在于瞬间上电时的充电电流不至于过大，避免了大电流对储能电容和其他电子元器件的损害，当电源电压发生抖动时，储能电容不会发生重复的充放电现象，减小了对储能电容寿命的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浪涌 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种欠压浪涌保护的储能电路，包括储能电容，其特征在于该储能电容的正极与MOS管的源极连接，MOS管的漏极通过充电电阻与输入电源的正输入端连接，MOS管的栅极通过驱动电阻与输入电源的正输入端连接，该储能电容的负极连接输入电源的负输入端，MOS管的栅极与稳压二极管的正极连接，稳压二极管的负极与MOS管的源极连接。
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