[发明专利]一种Y4Si3O12 晶须增韧Y4Si3O12 复合涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210458353.7 申请日: 2012-11-14
公开(公告)号: CN102942379A 公开(公告)日: 2013-02-27
发明(设计)人: 黄剑锋;杨柳青;曹丽云;王雅琴;费杰 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C04B35/81 分类号: C04B35/81;C04B41/89
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种Y4Si3O12晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的制备方法,首先,采用包埋法在C/C复合材料基体表面制备SiC多孔内涂层,然后制备Y4Si3O12晶须并采用复合表面活性剂对Y4Si3O12晶须进行表面改性得到混合液;采用表面制备有SiC多孔内涂层的C/C复合材料和混合液超声电泳选择性组装沉积获得Y4Si3O12晶须钉扎层,最后采用水热电泳沉积法制备Y4Si3O12晶须增韧Y4Si3O12复合涂层。本发明制得的Y4Si3O12晶须增韧Y4Si3O12复合涂层均匀,致密,无显微裂纹,基体与内涂层以及内外涂层之间的结合力明显提高;制得的Y4Si3O12晶须增韧Y4Si3O12复合涂层在1700℃的静态空气中可对C/C复合材料进行350h的有效保护,氧化失重率小于0.8%。
搜索关键词: 一种 sub si 12 晶须增韧 复合 涂层 制备 方法
【主权项】:
一种Y4Si3O12晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的制备方法,其特征在于:步骤1:采用包埋法在C/C复合材料基体表面制备SiC多孔内涂层1)首先,取市售分析纯的Si粉、C粉和Cr2O3粉,按Si粉:C粉:Cr2O3粉=(4~5):(5~6):(0.5~1.0)的质量比配制包埋粉料,然后将预处理后的碳/碳复合材料放入石墨坩埚,并将其埋入包埋粉料中;2)其次,将石墨坩埚放入立式真空炉中,通入氩气作为保护气体,控制立式真空炉的升温速度为10~30℃/min,将炉温从室温升至1500~1700℃后,保温1~3h后随炉自然冷却,用无水乙醇将完成包埋的碳/碳复合材料超声清洗0.5~1h,超声功率为300~500W;3)最后,在50~80℃的电热鼓风干燥箱中干燥得到带有SiC多孔内涂层的碳/碳复合材料;步骤2:采用复合表面活性剂对Y4Si3O12晶须进行表面改性:1)将十二烷基苯磺酸钠配制成浓度为0.5~0.8mol/L的溶液,将Y4Si3O12晶须浸泡在溶液中,超声辐射30~50min,超声功率为400~600W,然后过滤并分离出Y4Si3O12晶须;2)将分离所得的Y4Si3O12晶须与异丙醇按Y4Si3O12晶须:异丙醇=(10~20g):(150~300ml)的比例配制成悬浮液,然后向悬浮液中按(0.6~0.8)g/mL加入碘,搅拌得到混合液;步骤3:采用超声电泳选择性组装沉积获得Y4Si3O12晶须钉扎层:1)将步骤2制得的混合液置于超声电沉积装置中,以步骤1制备的带有多孔SiC内涂层的C/C复合材料为阴极,以石墨为阳极,进行电沉积,超声功率控制为300~500W,温度为40~60℃,沉积电压为20~40V,沉积电流为 0.05~0.1A,沉积时间为3~10min;2)沉积结束后,将阴极的复合材料取下,用蒸馏水洗涤3~5次,在80~120℃干燥,即在带有多孔SiC内涂层的碳/碳复合材料上得到Y4Si3O12晶须嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶须钉扎层;步骤4:采用水热电泳沉积法制备Y4Si3O12晶须增韧Y4Si3O12复合涂层:1)取10~30g Y4Si3O12粉体悬浮于100~300ml的异丙醇中,磁力搅拌10~30h,随后加入0.04~0.12g的碘,磁力搅拌10~30h,制备成悬浮液;2)以步骤3制得的带有Y4Si3O12晶须嵌入SiC孔隙的Y4Si3O12晶须钉扎层的C/C复合材料作为沉积基体,固定沉积基体于阴极,阳极选用石墨板,将悬浮液倒入水热电泳沉积反应釜中,控制填充比为40~60%,加热到140~180℃后保温,调整沉积电压为160~220V进行水热电泳沉积,沉积20~30min后停止通电,待试样冷却后取出,置于60~80℃的烘箱中干燥,得到带有Y4Si3O12晶须增韧Y4Si3O12复合涂层的C/C复合材料试样。
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