[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种在常闭状态下工作并具备高耐压和低导通电阻的半导体装置。在半导体装置（1）中，漏极（21）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电连接，源极（29）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电绝缘且构成为可与形成于第二异质结面（34）的二维电子气层电连接，栅极部（28）与第二异质结面（34）相向，导通电极（25）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层及形成于第二异质结面（34）的二维电子气层这两者电连接。形成于第一异质结面（32）的二维电子气层的电子浓度比形成于第二异质结面（34）的二维电子气层的电子浓度大。

主权项

一种半导体装置，具备：半导体层叠体；漏极，设于所述半导体层叠体上；源极，设于所述半导体层叠体上，且从所述漏极离开配置；栅极部，设于所述半导体层叠体上，且配置于所述漏极与所述源极之间；以及导通电极，设于所述半导体层叠体上，且设于所述漏极与所述栅极部之间，所述半导体层叠体具有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层及第四半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的禁带不同，由所述第一半导体层和所述第二半导体层构成第一异质结面，所述第三半导体层和所述第四半导体层的禁带不同，由所述第三半导体层和所述第四半导体层构成第二异质结面，所述漏极构成为能够与形成于所述第一异质结面的二维电子气层电连接，所述源极构成为能够与形成于所述第一异质结面的二维电子气层电绝缘，且所述源极构成为能够与形成于所述第二异质结面的二维电子气层电连接，所述栅极部与所述第二异质结面相向，所述导通电极构成为能够与形成于所述第一异质结面的二维电子气层及形成于所述第二异质结面的二维电子气层这两者电连接，形成于所述第一异质结面的二维电子气层的电子浓度比形成于所述第二异质结面的二维电子气层的电子浓度大。