[发明专利]控制底部填充物溢出宽度的方法无效
| 申请号： | 201210458902.0 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103594385A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 陈孟泽;郑荣伟;林俊成;蔡钰芃;郑明达;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/54 | 分类号： | H01L21/54;H01L23/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件组件包括具有经过处理形成表面粗糙度的表面区域的衬底。管芯通过多个连接部件安装在衬底上。底部填充物基本上填满设置在衬底和管芯之间的间隙，其中底部填充物的溢出宽度基本上受到具有表面粗糙度的区域的限制。本发明公开了控制底部填充物溢出宽度的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 底部 填充物 溢出 宽度 方法 | ||
【主权项】：
一种用于控制底部填充物在衬底和管芯之间设置的间隙中流动的方法，所述方法包括：处理所述衬底的区域以在其中形成表面粗糙度；以及分配底部填充物以基本上填满所述间隙，其中，所述底部填充物的流动基本上被所述表面粗糙度抑制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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