[发明专利]计算晶圆表面研磨去除率的方法有效
| 申请号： | 201210458982.X | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN102945304A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;方晶晶;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种计算晶圆表面研磨去除率的方法，该方法包括：a）设定参考平面、划分计算网格并确定研磨垫微扰形变的初始数据；b）根据微扰压力分布和研磨垫微扰形变的相互关系，使用傅里叶变换计算微扰压力分布，并根据外部施加压力和微扰压力分布计算接触压力分布；c）根据接触压力分布确定晶圆的研磨去除率。本发明的实施例还可以用晶圆表面的研磨去除率实时的计算晶圆表面形貌。本发明计算简洁，实现方便，物理意义明确，所得到的物理量能深刻揭示两体接触的内在本质。 | ||
| 搜索关键词： | 计算 表面 研磨 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种计算晶圆表面研磨去除率的方法，包括：a）设定参考平面、划分计算网格并确定研磨垫微扰形变的初始数据；b）根据微扰压力分布和研磨垫微扰形变的相互关系，使用傅里叶变换计算微扰压力分布，并根据外部施加压力和微扰压力分布计算接触压力分布；c）根据接触压力分布确定晶圆的研磨去除率。
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