[发明专利]形成后钝化互连件的方法有效
| 申请号： | 201210459353.9 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103545249A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 周孟纬;郭宏瑞;何明哲;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成后钝化互连件的方法，包括：在衬底上方形成钝化层，其中金属焊盘嵌入所述钝化层，在所述钝化层上沉积第一介电层，对所述第一介电层实施第一图案化工艺以形成第一开口，在所述第一开口的上方形成第一种子层，用导电材料填充所述第一开口，在所述第一介电层上沉积第二介电层，对所述第二介电层实施第二图案化工艺以形成第二开口，在所述第二开口上方形成凸块下金属结构，以及在所述凸块下金属结构上方设置互连凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 钝化 互连 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底上方形成钝化层，其中金属焊盘嵌入所述钝化层；在所述钝化层上沉积第一介电层；对所述第一介电层实施第一图案化工艺以形成第一开口；在所述第一开口上方形成第一种子层；用导电材料填充所述第一开口；在所述第一介电层上沉积第二介电层；对所述第二介电层实施第二图案化工艺以形成第二开口；在所述第二开口上方形成凸块下金属结构；以及在所述凸块下金属结构上方设置互连凸块，其中所述第一图案化工艺和所述第二图案化工艺中的至少一个是激光烧蚀工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
