[发明专利]用于宽带UHF天线的陶瓷介电配方无效

专利信息
申请号: 201210460675.5 申请日: 2007-06-07
公开(公告)号: CN102936132A 公开(公告)日: 2013-02-20
发明(设计)人: E·别尔莎德斯基;M·克拉夫钦克;R·卡特拉奥;D·本巴萨特;D·阿隆 申请(专利权)人: 威世科技公司
主分类号: C04B35/47 分类号: C04B35/47;C04B35/622;H01Q1/38
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 苗征;于辉
地址: 美国内*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请提供了介电陶瓷组合物,其在1MHz下的介电常数K为至少200,介电损耗DF为0.0006或者更小。所述介电陶瓷组合物可通过在空气中烧结而制得,而不需控制气氛。所述介电陶瓷组合物可以具有92.49-97.5重量%的主要组分和2.50-7.51重量%的次要组分,其中所述主要组分含有60.15-68.2重量%的钛酸锶、11.02-23.59重量%的钛酸钙以及7.11-21.32重量%的钛酸钡;所述次要组分含有1.18-3.55重量%的锆酸钙、0.50-1.54重量%的三氧化铋、0.2-0.59重量%的氧化锆、0.02-0.07重量%的二氧化锰、0.12-0.35重量%的氧化锌、0.12-0.35重量%的无铅玻璃料、0.24-0.71重量%的高岭土以及0.12-0.35重量%的氧化铈。所述介电陶瓷组合物可用于UHF天线和单片陶瓷元件。
搜索关键词: 用于 宽带 uhf 天线 陶瓷 配方
【主权项】:
宽带UHF天线,其包含介电陶瓷组合物,所述介电陶瓷组合物含有超过50重量%的非铁电材料,所述介电陶瓷组合物在1MHz下的介电常数K为至少200,介电损耗DF为0.0006或者更小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威世科技公司,未经威世科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210460675.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top