[发明专利]用于低接触电阻碳纳米管互连件的装置和方法有效
申请号: | 201210460900.5 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN103515354A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 吴宪昌;李香寰;眭晓林 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L21/768 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种装置包括形成在衬底上方的第一介电层、嵌在第一介电层中的第一金属线、形成在第一介电层上方的第二介电层、嵌在第二介电层中的第二金属线、形成在第一金属线和第二金属线之间的互连结构、形成在第一金属线和互连结构之间的第一碳层以及形成在第二金属线和互连结构之间的第二碳层。本发明提供了用于低接触电阻碳纳米管互连件的装置和方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 接触 电阻 纳米 互连 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种装置,包括:第一金属线,形成在衬底上方;第一碳层,形成在所述第一金属线上方;碳纳米管互连件,形成在所述第一碳层上方;第二碳层,形成在所述碳纳米管互连件上方;以及第二金属线,形成在所述第二碳层上方。
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