[发明专利]高能电子充电电流的测试系统有效
| 申请号： | 201210461194.6 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102967750A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 陈益峰;秦晓刚;李得天;杨生胜;柳青;汤道坦;王俊;史亮;李存惠 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R1/18 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 高燕燕;杨志兵 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明属于真空计量技术领域，具体涉及一种高能电子充电电流的测试系统。它包括：真空系统（9）、放置在真空系统（9）内的电子加速器（10）与电子屏蔽装置、以及放置在真空系统（9）外部的静电计；电子屏蔽装置中包含4个测试极，电子加速器（10）正对电子屏蔽装置的上端放置，在0.2—2MeV的能量范围内选取高能电子能量以及束流密度，开启电子加速器（10），并利用静电计测试各测试极的电流值；本发明中利用不同厚度的多层测试极结构，测试高能电子辐照下各测试极的充电电流值，具有结构简单、便于实现等特征，从而获得不同能量高能电子充电电流的测试结果。 | ||
| 搜索关键词： | 高能 电子 充电 电流 测试 系统 | ||
【主权项】：
一种高能电子充电电流的测试系统，其特征是，它包括：真空系统（9）、放置在真空系统（9）内的电子加速器（10）与电子屏蔽装置、以及放置在真空系统（9）外部的静电计；电子加速器（10）正对电子屏蔽装置的上端放置；电子屏蔽装置包括：金属外壳（1）、绝缘环（3）、屏蔽层（2）、测试极A（4）、测试极B（5）、测试极C（6）以及测试极D（7）；金属外壳的内部由测试极A（4）、测试极B（5）、测试极C（6）以及测试极D（7）依次从上到下分层，金属外壳的顶部由屏蔽层（2）密封，在金属外壳与屏蔽层（2）、测试极A（4）、测试极B（5）、测试极C（6）以及测试极D（7）的连接处均设置绝缘环（3）；测试极A（4）、测试极B（5）、测试极C（6）以及测试极D（7）分别于4个放置在真空系统（9）外部的静电计连接，屏蔽层（2）接地；屏蔽层（2）、测试极A（4）、测试极B（5）、测试极C（6）以及测试极D（7）的材料均采用Al，它们的厚度分别为0.6mm、0.9mm、2.2mm、1.9mm以及5mm；一种高能电子充电电流的测试系统的工作流程为：A．利用真空系统（9）抽真空，真空度保持在10‑4Pa；B．在0.2—2MeV的能量范围内，选取高能电子能量以及束流密度，开启电子加速器（10）；C．利用静电计测试各测试极的电流值；D．保持电子加速器（10）束流密度不变，在步骤B中所选取高能电子能量的基础上提高高能电子的能量，重复步骤C，测得各测试极的电流值；E．保持电子加速器（10）束流密度不变，在步骤D中所选取高能电子能量的基础上再次提高高能电子的能量，重复步骤C，测得各测试极的电流值；F．保持电子加速器束流密度（10）不变，在步骤E中所选取高能电子能量的基础上再次提高高能电子的能量，重复步骤C，测得各测试极的电流值；上述步骤中，所选取的高能电子能量范围在0.2‑2MeV之间，将步骤C‑F的测试结果综合分析，即可获得不同能量高能电子充电电流的测试结果。
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