[发明专利]一种空穴型氮铟镓p-InxGa1-xN薄膜及其制备

摘要

一种空穴型氮铟镓p-InxGa1-xN薄膜，化学分子式为InxGa1-xN，式中x为0.3-0.8，该空穴型氮铟镓薄膜具有反型n表面层，薄膜厚度为0.2-0.6µm，表面层厚度为20-30nm；其制备方法是：在MOCVD沉积系统的进样室中，对衬底表面进行表面等离子体清洗，然后在沉积室中采用两步法在衬底表面沉积掺Mg具有反型n表面层的p-InxGa1-xN薄膜。本发明的优点是：该空穴型氮铟镓薄膜，对应于太阳光谱具有几乎完美的匹配带隙，为利用单一半导体材料来设计、制备更为高效的多结太阳电池提供了可能，且其吸收系数高，载流子迁移率高，抗辐射能力强；其制备方法工艺条件方便易行，有利于大规模推广应用。

主权项

一种空穴型氮铟镓p‑InxGa1‑xN薄膜，其特征在于：化学分子式为InxGa1‑xN，式中x为0.3‑0.8，该空穴型氮铟镓p‑InxGa1‑xN薄膜具有反型n表面层，即空穴型氮铟镓p‑InxGa1‑xN薄膜由薄膜体层和薄膜表面层组成，其中薄膜体层导电类型为p型，即Mg掺杂空穴型，薄膜表面层导电类型为n型，即Mg掺杂电子型；该空穴型氮铟镓p‑InxGa1‑xN薄膜沉积在衬底上，厚度为0.2‑0.6μm，其中表面层厚度为20‑30nm。