[发明专利]一种方形蓝宝石晶体的生长方法及设备无效

专利信息
申请号: 201210461724.7 申请日: 2012-11-15
公开(公告)号: CN103806101A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 鲍威尔·斯米尔诺夫;李东振;宗志远;孙大伟;周健杰;刘一凡;吴勇 申请(专利权)人: 上海中电振华晶体技术有限公司
主分类号: C30B29/20 分类号: C30B29/20;C30B35/00;C30B17/00
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人: 王松
地址: 201210 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种方形蓝宝石晶体的生长方法及设备,所述方法包括如下步骤:步骤S1:将设定重量的高纯氧化铝块料或粉料装入坩埚中,然后将坩埚置于晶体生长炉内;步骤S2:将晶体生长炉抽真空;步骤S3:通过加热器控制晶体生长炉升温,使氧化铝原料熔化为熔体;步骤S4:选用定向籽晶,将定向籽晶固定在坩埚的中心位置,温度合适后引晶;步骤S5:引晶结束后,向上提拉籽晶,开始晶体生长;步骤S6:长晶结束后,缓慢降温;步骤S7:炉内温度降至设定温度后,取出晶体,切割并加工成所需尺寸的晶片。本发明提出的蓝宝石晶体的生长方法及设备,可制得方形、圆形等形状的蓝宝石晶体,在制得高质量晶体的同时,有效提高蓝宝石晶体的利用率。
搜索关键词: 一种 方形 蓝宝石 晶体 生长 方法 设备
【主权项】:
一种方形蓝宝石晶体的生长方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:步骤S1:将设定重量的高纯氧化铝块料或粉料装入方形坩埚中,然后将方形坩埚置于晶体生长炉内;步骤S2:将晶体生长炉抽真空,使晶体生长炉内的真空度低于6×10‑3Pa;步骤S3:通过加热器控制晶体生长炉升温至2000‑2100℃,待氧化铝原料熔化为熔体;步骤S4:选用定向籽晶,将定向籽晶固定在坩埚的中心位置,保证定向籽晶c面平行于坩埚长边对应的平面,确定温度合适后开始引晶;步骤S5:引晶结束后,以0.1~3mm/h的速度向上提拉籽晶,开始晶体生长;步骤S6:长晶结束后,以10~50℃/h的速度缓慢降温;步骤S7:炉内温度降至室温后,取出方形晶体,切割并加工成所需尺寸的晶片。
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