[发明专利]用于中子检测器的含硼涂层有效
| 申请号： | 201210462087.5 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN103048677B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | J·M·鲁斯迪格;J·B·詹斯马 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00;B05D1/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 林毅斌;林森 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种中子检测器，其包括界定了内部体积的外壳。所述中子检测器包括至少壁部分，所述壁部分起阴极作用。在一个实例中，所述壁部分具有微特征。所述中子检测器包括位于所述内部体积内并起阳极作用的中心结构。所述中子检测器包括在所述壁部分上的硼涂层。在一个实例中，所述硼涂层通过静电喷涂工艺施加。在一个实例中，所述硼涂层符合所述壁部分上的微特征。在一个实例中，所述壁部分具有2‑5微米的厚度。所述中子检测器具有电连接器，其可操作地连接至所述中心结构，以用于传输所述中心结构采集的信号。本发明还提供了用于沉积所述硼涂层的相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 中子 检测器 涂层 | ||
【主权项】：
1.一种中子检测器，其包括：界定了内部体积的外壳；至少壁部分，所述壁部分起阴极作用；位于所述内部体积内并起阳极作用的中心结构；在所述壁部分上的硼涂层，其中所述硼涂层通过静电喷涂工艺施加含硼粉末，所述含硼粉末中超过75％的粒子的直径小于1微米，超过95％的粒子的直径小于3微米，且基本上所有粒子的粒径小于15微米，所述硼涂层的厚度为2‑5微米；和电连接器，其可操作地连接至所述中心结构，以用于传输所述中心结构采集的信号。
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