[发明专利]集紫外光化学与化学气相干法表面处理的真空设备有效
申请号: | 201210462171.7 | 申请日: | 2012-11-15 |
公开(公告)号: | CN102969227A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 陶海华;张双喜;蒋为桥;王庆康 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种集紫外光化学与化学气相干法表面处理的真空设备,主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空设备控制系统组成,真空腔室由高真空内腔室和低真空外腔室组成:外腔室顶端固定紫外灯光源;内腔室具有高度可调节的样品台,其外置加热和水冷系统。还提供相应的真空设备使用方法。本发明能够准确控制紫外光化学和化学气相干法反应的过程,实现材料、器件等有效清洗和改性,它在材料和纳米光电子器件领域具有重要的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 紫外 光化学 化学 相干 表面 处理 真空设备 | ||
【主权项】:
一种集紫外光化学与化学气相干法表面处理的真空设备,其特征在于,主要由真空腔室、紫外光源系统、真空泵系统和真空控制系统组成,其中,所述紫外光源系统包括相连接的紫外灯控制电源和紫外灯管,所述真空腔室包括外腔室和内腔室,所述外腔室内安装有所述紫外灯管,所述内腔室内设置有所述样品台、加热装置和水冷装置,所述内腔室还设置有气体输入端口、气体输出端口,所述气体输入端口连接有氧气存储装置、氮气存储装置、氩气存储装置、氢气存储装置,能够实现化学气相表面处理,所述紫外灯管发射的光通过所述内腔室的石英窗口,照射到所述样品台上,所述内腔室充有一定压强的氧气,该氧气经过紫外光照射后生成臭氧和氧原子,对所述样品台上的样品表面进行干法清洗;所述真空泵系统和真空控制系统用于产生并控制真空腔室内的真空度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210462171.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造