[发明专利]大功率COB封装LED结构及其晶圆级制造工艺

摘要

本发明公开了一种大功率COB封装LED结构，包括位于底层的子基板、形成于子基板上的布线电极与互联线路、与布线电极相对应的芯片电极、位于芯片电极上方的p型GaN层、有源区、n型GaN层、以及覆盖于n型GaN层上方的荧光粉层，布线电极与芯片电极键合在一起。其制造工艺基于芯片倒装技术，在晶圆阶段将大功率芯片的p型和n型电极与子基板上对应的p型和n型电极键合，集成芯片间的串并联通过子基板上的电极排布实现，之后将原有蓝宝石基板剥离，芯片转移至子基板。在子基板晶圆上旋涂感光荧光粉溶剂，光刻形成保形荧光粉涂层。上述晶圆级COB封装LED结构的生产效率和质量更高，提供了一种进一步降低COB封装单位流明成本的实现方法。

主权项

一种大功率COB封装LED结构，其特征在于：包括位于底层的子基板（9）、形成于所述的子基板（9）上的布线电极与互联线路、与所述的布线电极相对应的芯片电极、位于所述的芯片电极上方的p型GaN层（3）、有源区（4）、n型GaN层（5）、以及覆盖于所述的n型GaN层（5）上方的荧光粉层（12），其中，所述的布线电极与芯片电极键合在一起。