[发明专利]用于制造硅块的方法有效

专利信息
申请号: 201210464754.3 申请日: 2012-11-16
公开(公告)号: CN103122478A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: M·特莱姆帕;C·赖曼;J·弗里德里希;M·迪特里希 申请(专利权)人: 太阳世界创新有限公司;弗朗霍夫应用科学研究促进协会
主分类号: C30B11/02 分类号: C30B11/02;C30B29/06;C30B35/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 吴鹏;马江立
地址: 德国萨*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用于通过使硅熔体固化来制造硅块(9)的方法,所述方法包括以下步骤:提供具有基壁(2)和至少一个侧壁(3)的用于接纳硅熔体的容器(1),将多个晶种(4)布置在基壁(2)上,将硅(8)布置在容器(1)中,使硅熔体在容器(1)中定向固化,其中晶种(4)在任何情形中都具有至少一个侧面(6)和端面(7)并且在任何情形中都具有预定的轴向取向,并且其中两个相邻的晶种(4)的侧面(6)在任何情形中都通过间隙(5)彼此相分隔。
搜索关键词: 用于 制造 方法
【主权项】:
一种用于通过使硅熔体固化来制造硅块(9)的方法,所述方法包括以下步骤:a.提供用于接纳硅熔体的容器(1),所述容器具有i.基壁(2);和ii.至少一个侧壁(3),b.将多个平的晶种(4)布置在所述基壁(2)上,i.其中,所述晶种(4)在任何情形中都具有至少一个侧面(6),并且ii.其中,所述晶种(4)在任何情形中都具有带预定的轴向取向的晶体结构,并且iii.其中,两个相邻的晶种(4)的所述侧面(6)在任何情形中都以一间隙(5)互相分隔,c.将液态硅(8)布置在所述晶种(4)上,d.通过晶体生长来封闭所述晶种(4)之间的所有间隙(5),e.所述硅熔体在所述容器(1)中的定向固化。
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