[发明专利]跨导放大器的高线性度优化方法有效
申请号: | 201210464903.6 | 申请日: | 2012-11-16 |
公开(公告)号: | CN103825566B | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | 凌朝东;傅文渊 | 申请(专利权)人: | 凌朝东;傅文渊 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F1/32 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司35204 | 代理人: | 张松亭 |
地址: | 361000 福建省厦门市思明区软*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种跨导放大器的高线性度优化方法,其特征在于提供一双端输入双端输出的跨导放大器,该跨导放大器两个输入端信号分别为Vin+=f(t+)和Vin‑=f(t‑),二者之间的关系是其中,f(t+)和f(t‑)均为时间的连续函数。该方案使双端输入双端输出跨导器整体获得了最小的线性失真,在二阶谐波和三阶谐波上具有良好的表现。 | ||
搜索关键词: | 放大器 线性 优化 方法 | ||
【主权项】:
跨导放大器的高线性度优化方法,其特征在于:提供一双端输入双端输出的跨导放大器,该跨导放大器两个输入端信号分别为Vin+=f(t+)和Vin‑=f(t‑),二者之间的关系是:f(t-)=43·f(t+)+1]]>其中,f(t+)和f(t‑)均为时间的连续函数;该跨导放大器包括:差分MOS对管M1和M2,其漏极各自通过电流源i1和i2连接到VDD;其源极各自连通到MOS对管M3和M4的源极;该对管M3和M4的漏极均接地,其栅极均设置控制电压源Vb1;MOS对管M5和M6,其漏极分别连接该M1和M2的漏极,其栅极各自与该MOS对管M1和M2的栅极之间具有控制电压源Vb5和Vb4;其源极分别连通MOS对管M7和M8的源极;该MOS对管M7和M8的栅极与地之间各自具有控制电压源Vb2和Vb3;其中,MOS对管M5和M6的栅极各自作为该跨导放大器的输入端;且M5和M6源极之间接入电阻R;M5和M7处于强饱和区,而M6和M8处于弱饱和区;对于所述电阻R,MOS管M5和M7,三者满足关系R>>1/Gm5,7;该电阻R恒定为1KΩ,且Vb2和Vb3的偏差不大于0.5V。
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