[发明专利]一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺有效
| 申请号： | 201210464962.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103820849A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 赵而敬;冯泉林;闫志瑞;李宗峰;盛方毓 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B29/06;H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺，它包括：(1)于1150～1190℃下用高纯HCl气体清洁反应腔体；(2)通入高纯H2吹扫反应腔体内残留的HCl气体及反应产物；(3)将反应腔体内的温度降温至700～900℃，将12寸单晶硅片装载到载片基座上；(4)将反应腔体内的压强降低至20～200Torr，然后升温至1000～1050℃，载气高纯H2的流量为40～160SLM；(5)反应气体预流，调节通入DCS以及掺杂剂的反应腔体的过程和时间生长外延层；(6)降温至900℃，取出外延片。通过本发明的上述工艺可以制备出外延层电阻率均匀，外延层和衬底电阻率过渡区窄的外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减压 生产 12 单晶硅 外延 工艺 | ||
【主权项】：
一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)将化学气相沉积设备的反应腔体升温至1150～1190℃，向反应腔体内通入高纯氯化氢气体，清洁腔体以及载片基座上残余的沉积层，除去反应腔体内部的杂质；(2)向反应腔体内通入高纯H2吹扫反应腔体内残留的HCl气体及反应产物，高纯H2的流量为50SLM；(3)将反应腔体内的温度降温至700～900℃，将12寸单晶硅片装载到载片基座上；(4)将反应腔体内的压强降低至20～200Torr，然后升温至1000～1050℃，载气高纯H2的流量为40～160SLM；(5)预流二氯二氢硅气体、掺杂剂B2H6/PH3至少1min，然后只通入DCS气体生长一层非掺杂外延薄层，通入时间为10～120s，停止二氯二氢硅气体的通入，立刻通入掺杂剂B2H6/PH3，通入时间为10～60s，再通入二氯二氢硅气体，此时二氯二氢硅气体与掺杂剂B2H6/PH3同时进入反应腔体，在12寸单晶硅表面生长外延层；(6)外延层生长完成后，停止对反应腔体抽真空，使反应腔体内的压强回到大气压，然后降温至900℃，取出外延片。
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