[发明专利]功率半导体器件驱动电路

摘要

一种功率半导体器件驱动电路包括栅极控制端子（5），所述栅极控制端子（5）被设置在与功率半导体器件（1）的漏极端子（1b）间隔开一预定距离的位置处，以使得生成浪涌时在所述漏极端子（1b）和所述栅极控制端子（5）之间生成放电。由于该放电的原因，浪涌电压被施加至所述栅极控制端子（5），所述功率半导体器件（1）的栅极被充电以导通并且吸收浪涌能量。因此，变得能够抑制施加至所述漏极端子（1b）的所述浪涌电压并且放置所述功率半导体器件（1）的击穿。

主权项

一种功率半导体器件驱动电路，包括：由半导体开关器件形成的功率半导体器件（1），其基于施加至栅极端子（1a）的栅极电压来控制供应至第一端子（1b）和第二端子（1c）的电流，所述第一端子（1b）和所述第二端子（1c）是高侧端子和低侧端子；以及栅极驱动电路（4），用于控制施加至所述功率半导体器件（1）的所述栅极端子（1a）的所述栅极电压，其特征在于还包括：放电端子（5，40），其被设置在与所述第一端子（1b）间隔开一预定距离的位置处，以在所述第一端子处的电压通过生成浪涌而升高并且到达电介质击穿电压时引发所述第一端子（1b）和所述放电端子（5，40）之间的放电；以及栅极充电电路（6,10,14），其基于所述第一端子（1b）和所述放电端子（5，40）之间的所述放电对所述功率半导体器件（1）的栅极进行充电来导通所述功率半导体器件（1），并且通过在所述第一端子（1b）和所述第二端子（1c）之间流动的电流来降低所述第一端子（1b）的所述电压。