[发明专利]一种高温退火硅片的制备方法

摘要

本发明提供一种高温退火硅片的制备方法，包括以下步骤：(1)将硅片装载好后，以150mm/min的速度升入温度为650℃，保护气氛为纯Ar的石英炉管内，保温30min；(2)向石英炉管内通入H₂，此时退火气氛变为Ar和H₂的混合气氛，并升温到1000℃；(3)停止通H₂，将退火气氛变为纯Ar气氛，并升温到1200℃保温1h；(4)保温结束后，继续通入纯Ar，降温到650℃后出舟，将硅片冷却至室温后卸载。采用本发明的制备方法不但消除了硅片表面的空洞型微缺陷，降低了表面的雾度值(Haze值)，而且保证了硅片电阻率在深度方向上的一致性和径向上的均匀性。本发明不会带来附加的不良作用，不需要增加多余的工序，不仅提高了生产效率而且降低了成本，适合于批量生产。

主权项

一种高温退火硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将硅片装载好后，以150mm/min的速度升入温度为650℃，保护气氛为纯Ar的石英炉管内，保温30min；(2)向石英炉管内通入H₂，此时退火气氛变为Ar和H₂的混合气氛，然后升温到1000℃；(3)停止通H₂，将退火气氛变为纯Ar气氛，并升温到1200℃保温1h；(4)保温结束后，继续通入纯Ar，降温到650℃后出舟，将硅片冷却至室温后卸载。