[发明专利]显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，制作方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；在栅线、数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线上形成图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层；在图案化的栅绝缘层和有源层上形成像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道；在像素电极、源电极和漏电极上形成钝化层及公共电极过孔；在钝化层上形成公共电极。本发明可以避免强光下的显示效果差的问题。

主权项

一种透反式薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S11，提供一衬底基板；S12，在所述衬底基板上形成金属薄膜，由构图工艺形成包括栅线、经过栅线区域处断开的数据线、栅电极、反射电极以及公共电极线的图形，其中，栅线和数据线垂直，栅线与栅电极连接，反射电极所在的区域为反射区域，反射电极和公共电极线之间的区域为透射区域；S13，在完成步骤S12的基板上形成栅绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，由构图工艺形成包括图案化的栅绝缘层和位于栅绝缘层上的有源层的图形；S14，在完成步骤S13的基板上形成第一透明导电薄膜，由构图工艺形成包括像素电极、源电极、漏电极、断开的数据线的连接线和沟道的图形；S15，在完成步骤S14的基板上形成钝化层，由构图工艺形成包括公共电极过孔的图形；S16，在完成步骤S15的基板上形成第二透明导电薄膜，由构图工艺形成包括公共电极的图形，所述公共电极通过公共电极过孔与公共电极线连接。