[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210466154.0 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103545279B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李起洪;皮昇浩;文成益 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11548 | 分类号： | H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 许伟群,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括单元结构；在单元结构的一侧形成的n个第一焊盘结构，并且每个第一焊盘结构被配置成具有台阶形式，其中2n个层形成一个层级；以及在单元结构的另一侧形成的n个第二焊盘结构，每个第二焊盘结构被配置成具有台阶形式，其中2n个层形成一个层级，其中n是1或更大的自然数，并且第一焊盘结构和第二焊盘结构具有高度不同的非对称的台阶形式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：单元结构；n个第一焊盘结构，每个第一焊盘结构具有台阶形式，其中2n个层形成一个层级；以及n个第二焊盘结构，每个第二焊盘结构具有台阶形式，其中2n个层形成一个层级，其中n是1或更大的自然数，所述单元结构位于所述n个第一焊盘结构与所述n个第二焊盘结构之间，并且彼此面对且所述单元结构置于其间的第一焊盘结构和第二焊盘结构关于彼此是非对称的，且具有彼此不同的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
