[发明专利]去除封装结构的方法有效
| 申请号： | 201210466450.0 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103824756B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 高保林;王倩;文智慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种去除封装结构的方法，首先对所述封装材料和所述引线进行研磨，暴露出所述引线；然后使用第一化学试剂刻蚀引线，由于此时封装材料还未去除，所述半导体芯片均被封装材料保护，避免了所述第一化学试剂对半导体芯片的损伤；接着使用第二化学试剂去除封装材料和基板，从而实现在对半导体芯片较少伤害的情况下完全去除封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种去除封装结构的方法，包括：提供半导体芯片，所述半导体芯片装配于基板上，所述半导体芯片以及所述基板上形成有封装材料和若干引线，所述封装材料覆盖所述引线和半导体芯片，所述引线连接所述半导体芯片和所述基板；所述基板、所述封装材料和所述引线构成封装结构；对所述封装材料和所述引线进行研磨，去除部分封装材料和部分引线，并暴露出所述引线，此时所述半导体芯片依旧被封装材料层覆盖；使用第一化学试剂刻蚀去除剩余的引线；使用第二化学试剂刻蚀同时去除剩余的封装材料和所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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