[发明专利]渐变半径光子晶体发光二极管制备方法

摘要

一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法，包括：取一氮化镓基发光二极管外延片；在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层；在ITO层上淀积一层SiO2层，在SiO2层上制作掩膜板图形；根据掩膜板图形腐蚀去掉外延片一侧的部分SiO2层、P型GaN接触层、有源层和N型GaN接触层，腐蚀深度至N型GaN接触层内；在ITO层上向下刻蚀制作第一层光子晶体结构；在第一层光子晶体结构的基础上向下刻蚀制作与第一层光子晶体结构晶格常数相同的第二层光子晶体结构；在GaN接触层一侧形成的台面上制作N电极；在ITO层上第一层光子晶体结构的一侧制作P电极，完成器件的制作。本发明增加了发光二极管的光提取效率。

主权项

一种渐变半径光子晶体发光二极管的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一氮化镓基发光二极管外延片，该外延片包括在衬底基片上依次生长的GaN缓冲层、N型GaN接触层、有源层和P型GaN接触层；步骤2：在外延片的P型GaN接触层上生长ITO层；步骤3：在ITO层上淀积一层SiO2层，在SiO2层上制作掩膜板图形；步骤4：根据掩膜板图形腐蚀去掉外延片一侧的部分SiO2层、P型GaN接触层、有源层和N型GaN接触层，腐蚀深度至N型GaN接触层内，使暴露的N型GaN接触层的一侧形成台面；步骤5：在ITO层上向下刻蚀制作第一层光子晶体结构；步骤6：在第一层光子晶体结构的基础上向下刻蚀制作与第一层光子晶体结构晶格常数相同的第二层光子晶体结构；步骤7：在GaN接触层一侧形成的台面上制作N电极；步骤8：在ITO层上第一层光子晶体结构的一侧制作P电极，完成器件的制作。