[发明专利]用CVD法制备SrAl2O4:Eu2+纳米线的方法在审
申请号: | 201210467155.7 | 申请日: | 2012-11-19 |
公开(公告)号: | CN102994077A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 李志杰;史桂梅;张天昊;梁加淼;贺连龙 | 申请(专利权)人: | 沈阳工业大学 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64 |
代理公司: | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人: | 宋铁军;周楠 |
地址: | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供了一种利用CVD法制备发光SrAl2O4:Eu2+纳米线的方法,主要是利用CVD法制备直径均匀的发光SrAl2O4:Eu2+纳米线的过程。解决了常规方法经费昂贵等难题,并且可以通过调节温度、工作气氛、流量和时间有效控制SrAl2O4:Eu2+纳米线的尺寸和形貌,是一种有效的实现纳米化和余辉长、纳米线的制备方法,是一种工艺相对简单、可操作性大、可控性强的制备发光SrAl2O4:Eu2+纳米线的方法。 | ||
搜索关键词: | cvd 法制 sral sub eu sup 纳米 方法 | ||
【主权项】:
一种用CVD法制备SrAl2O4: Eu2+纳米线的方法,其特征在于:该方法具体步骤如下:(1)首先将分析纯SrCO3和Al2O3,按照Sr与Al比例2:1~1:3混合,再加入0.5%~5%mol 的Al粉和1%~4%mol的Eu2O3,混合研磨至均匀,作为原料放入刚玉反应舟内,并置于快速升温管式烧结炉中央反应区;将3片10mm×10mm刚玉基片在距中央200mm处开始相间隔50mm依次置于管式烧结炉中;(2)炉体腔抽真空2×10‑4Torr,开始缓慢抽;再充入95~98Vol %的N2和2~5Vol %的H2,在实验的过程中维持104~105Pa和40~70sccm流量,升温程序中在60分钟内快速升温至1300~1500℃;经过0.5—3.0h恒温时间的实验过程后,进入降温程序,自然冷却至室温,制成发光SrAl2O4: Eu2+纳米线。
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