[发明专利]一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET的及其制造方法

摘要

本发明提出了一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET的及其制造方法，该沟槽MOSFE在元胞区内和终端区内分别形成有沟槽，终端区的沟槽为至少两个环绕元胞区的封闭的环形沟槽，靠近元胞区的至少一个环形沟槽为隔离环，该隔离环与零电位连接，靠近划片道的至少一个环形沟槽为截止环，该截止环与划片道连接。本发明的具有终端耐压结构的沟槽MOSFET的隔离环与零电位连接，能够有效抑制漏电；截止环与划片道连接，使载流子不会沿着截止环积累，提高了该终端耐压结构的隔离效果和耐压效果。本发明的制造方法在不增加工艺复杂度的前提下，解决三层光刻工艺制备的沟槽MOSFET的耐压和漏电问题，减小了沟槽MOSFET的横向漏电，提高了器件的耐压，简化了工艺过程，降低了制造成本。

主权项

一种具有终端耐压结构的沟槽MOSFET，其特征在于，包括：衬底及其上形成的外延层，所述外延层的导电类型与所述衬底的导电类型相同，在所述外延层内从上至下依次形成有源区和阱区，所述阱区的导电类型与所述衬底的导电类型相反，所述源区的导电类型与所述衬底的导电类型相同，所述源区的上表面与所述外延层的上表面处于同一平面；所述外延层划分为元胞区和终端区，所述终端区包围所述元胞区，在所述终端区内形成有栅极引线区，在所述元胞区内和终端区内分别形成有沟槽，所述沟槽的深度大于所述源区和阱区的厚度之和，所述终端区的沟槽为至少两个环绕所述元胞区的封闭的环形沟槽，所述环形沟槽彼此不相连接，沿从内向外的方向，靠近所述元胞区的至少一个环形沟槽为隔离环，所述隔离环与零电位连接；在所述沟槽内形成有第一介质层和栅极；在所述外延层上形成有第二介质层，所述第二介质层内形成有接触孔，所述接触孔包括栅极接触孔、源极接触孔和截止环接触孔；在所述第二介质层表面形成有栅极金属层、源极金属层和截止环金属层，所述栅极金属层通过栅极接触孔与所述栅极相连，所述源极金属层通过源极接触孔与所述源区相连，所述截止环通过截止环接触孔与所述截止环金属层相连；以及在所述衬底之下形成有漏极金属层。