[发明专利]一种硅纳米锥复合石墨烯纳米片的材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210467923.9 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103193220A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李林;顾长志;李俊杰;田士兵;孙旺宁;夏晓翔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C23C16/26;C23C16/44;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种硅纳米锥复合石墨烯纳米片的材料及其制备方法，硅纳米锥复合石墨烯纳米片的材料包括：表面具有硅纳米锥阵列的衬底；在硅纳米锥阵列的表面上形成有片状的少层石墨烯纳米片层。制备方法包括如下步骤：1）以感应耦合等离子体刻蚀（ICP）制备的硅纳米锥阵列结构为衬底；2）将衬底放入热丝化学气相沉积（HFCVD）系统中，基础真空为0.1Torr，在温度900~1100℃，气体流量比（Ar/H2/CH4）为50/5/1~50/49/1和气压20~30Torr的条件下，并在灯丝和样品之间施加偏压300~380V，生长片状的少层石墨烯纳米片层。本发明通过控制生长参数和调节衬底硅纳米锥的结构实现对状石墨烯纳米片阵列结构形貌的调控，并获得了优异的场发射特性和高粘附超疏水性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 石墨 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅纳米锥复合石墨烯纳米片的材料，其特征在于，包括：表面具有硅纳米锥阵列的衬底；在所述硅纳米锥阵列的表面上形成有片状的少层石墨烯纳米片层。
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