[发明专利]氮化物半导体基板及其制造方法无效
| 申请号： | 201210468317.9 | 申请日： | 2009-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN102969339A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 郭义德;林素芳;郭威宏;刘柏均;纪东炜;赵主立;蔡政达 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物半导体基板，包括：外延基板、图案化的氮化物半导体柱层、氮化物半导体层以及掩模层。上述图案化的氮化物半导体柱层，形成于该外延基板上，上述氮化物半导体层，形成于该氮化物半导体柱层上。掩模层则覆盖在该氮化物半导体柱层与该外延基板的表面。上述氮化物半导体柱层包括：多个图案化排列的第一空洞结构以及多个图案化排列的第二空洞结构，位于图案化排列的该多个第一空洞结构之间，其中该多个第二空洞结构为纳米尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体基板，其特征在于：该氮化物半导体基板包括：外延基板；图案化的氮化物半导体柱层，形成于该外延基板上；氮化物半导体层，形成于该氮化物半导体柱层上；以及掩模层，覆盖在该氮化物半导体柱层与该外延基板的表面，其中该氮化物半导体柱层包括：多个图案化排列的第一空洞结构；以及多个图案化排列的第二空洞结构，位于图案化排列的该多个第一空洞结构之间，其中该多个第二空洞结构为纳米尺寸。
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