[发明专利]一种NANDFlash存储芯片的校验方法及装置

摘要

本发明提供一种NAND Flash存储芯片的校验方法，根据写入扩展区中每页数据的行列异或值、Hash值，比较数据区的数据内容和计算的数据区的Hash值，能够纠正一位及两位错误，并能发现多位错误，从而确保存放在NAND Flash芯片内数据的完整性及准确性，起到减少文件系统崩溃的风险。

主权项

一种NAND Flash存储芯片的校验方法，所述方法包括：将NAND Flash存储芯片每页中数据区的数据，对同一行上所有数据进行异或运算得到异或值，并对同一列上所有数据进行异或运算得到异或值，将行列的异或值写入所述NAND Flash存储芯片的扩展区；将所述数据区的数据进行Hash运算，将运算的结果存储双份到所述扩展区；取出所述数据区的数据，并计算所述数据区的数据的Hash值；取出存放在所述扩展区的行列异或值和双份Hash值，并对双份Hash值做运算得到新的Hash值；对比所述数据区的数据的Hash值和所述新的Hash值是否相同，若否，则对所述数据区的数据做行列异或运算，并将运算后的行列异或值和所述扩展区的行列异或值进行对比，获取出现错误的行和出现错误的列的数量和位置，当出现错误的行或者出现错误的列小于或者等于2时，根据出现错误的行和出现错误的列的数量和位置进行纠错；当对比所述数据区的数据的Hash值和所述新的Hash值相同时，则返回正确；当出现错误的行或者出现错误的列大于2时，则返回错误；所述对双份Hash值做运算得到新的Hash值，包括：对比所述双份Hash值，若所述双份Hash在相同的行列位置Hash值同时为0，则取所述相同的行列位置的Hash值为0，否则Hash值为1，得到新的Hash值。