[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201210469038.4 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN102931267A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;崔介东;陈思达 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/20 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 倪波 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开一种硅基异质结太阳能电池,依次包括栅电极、透明导电膜、硼掺杂非晶硅、本征非晶硅、N型单晶硅及背电极,背电极由分布布拉格反射器和铝薄膜构成,分布布拉格反射器是由掺铌二氧化钛薄膜与掺铝氧化锌薄膜间隔设置构成,铝薄膜设于分布布拉格反射器中最外层掺铝氧化锌薄膜的表层;采用两种折射率不同的透明导电膜构成分布布拉格反射器作为背电极,使得电池器件的串联电阻小,利于载流子的收集,进而电池的光电转换效率高;分布布拉格反射器与铝电极组合的背反射电极可以使具有特征波长的近红外部份的长波波段通过两层折射率差异的导电膜反射回晶体硅片内部被重新吸收,提高电池的电流和光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅基异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅基异质结太阳能电池,依次包括栅电极、透明导电膜、硼掺杂非晶硅、本征非晶硅、N型单晶硅及背电极,其特征在于:所述背电极由分布布拉格反射器和铝薄膜构成,所述的分布布拉格反射器是由掺铌二氧化钛薄膜与掺铝氧化锌薄膜间隔设置构成,所述铝薄膜设于分布布拉格反射器中最外层掺铝氧化锌薄膜的表层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的