[发明专利]GaN基高压LED制造工艺中的隔离填充制作方法有效
| 申请号： | 201210471852.X | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102938436B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 涂招莲;王强;余志炎;钱志强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓（GaN）基高压发光二极管（LED）制造工艺中的隔离填充制作方法，包括在衬底上形成N型氮化镓层后，进行第一次N型氮化镓层刻蚀以形成沟槽结构并在沟槽结构中形成第一隔离绝缘层；在所述发光二级管制造过程中，形成P型氮化镓层，进行第二次沟槽刻蚀以形成到达第一隔离绝缘层的结构，并在第一隔离绝缘层上方形成第二隔离绝缘层。本发明的方法使得形成隔离填充结构的难度得到很大的降低，为后续芯片电极金属化互联提供了较为平坦的爬坡结构，同时提高了隔离绝缘层对于沟槽侧面的覆盖质量，提高了GaN基高压发光LED的可靠性和良品率。 | ||
| 搜索关键词： | gan 高压 led 制造 工艺 中的 隔离 填充 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓(GaN)基高压发光二极管(LED)制造工艺中的隔离填充制作方法，包括：在衬底上形成N型氮化镓层后，进行第一次沟槽刻蚀以形成沟槽结构并在沟槽结构中形成第一隔离绝缘层；在所述发光二级管制造过程中，进行第二次沟槽刻蚀以形成到达第一隔离绝缘层的沟槽，并在第一隔离绝缘层上方形成第二隔离绝缘层；所述在所述发光二级管制造过程中，进行第二次沟槽刻蚀以形成到达第一隔离绝缘层的沟槽包括：在N型氮化镓层和沟槽结构中的第一隔离绝缘层上方覆盖形成多量子阱发光层、P型氮化镓层和透明导电层，并进而刻蚀形成用于承载N型电极的N型氮化镓平台后，进行第二次沟槽刻蚀以形成到达第一隔离绝缘层的沟槽。
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