[发明专利]一种AlGaN基深紫外LED器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210472002.1 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103296170A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 胡斌 | 申请（专利权）人： | 浙江优纬光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子技术领域，特别涉及一种AlGaN基深紫外LED器件，衬底是蓝宝石、碳化硅或AlN等，器件外延结构包括AlN本征层、n型AlGaN底层、AlGaN多量子阱有源区、p型层，其中采用纤锌矿氮化硼(WBN)作为p型层材料。还提供了该器件的制造方法。本发明运用BN作为p型层，具有高导电率和对紫外线透明等优点，要优于传统的p型AlGaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan 深紫 led 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种AlGaN基深紫外LED器件，衬底是蓝宝石、碳化硅或AlN，器件外延结构包括 AlN本征层、n型 AlGaN底层、AlGaN多量子阱有源区、p型层，其特征在于采用纤锌矿氮化硼作为p型层材料。
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