[发明专利]一种石墨烯-CuInS2量子点复合物及其制备方法有效
申请号: | 201210472353.2 | 申请日: | 2012-11-21 |
公开(公告)号: | CN102965105A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 高锋;王命泰;岳文瑾 | 申请(专利权)人: | 中国科学院等离子体物理研究所 |
主分类号: | C09K11/65 | 分类号: | C09K11/65;C01G15/00;C01B31/04;B82Y30/00 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯-CuInS2量子点复合物及其制备方法,利用环境友好的乙醇作为溶剂,通过溶剂热反应合成了由还原态氧化石墨烯和黄铜矿CuInS2量子点组成的复合物,CuInS2量子点尺寸为2-5nm,CuInS2量子点以单层分散于石墨烯片层上和在石墨烯片层表面聚集形成三维聚集体两种形式存在。所得复合物在有机溶剂中有很好的分散性能,且制备方法简单、环保、易宏量制备,将在光电材料、光伏材料、有机-无机复合材料等领域具有重要的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 cuins sub 量子 复合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种石墨烯‑CuInS2量子点复合物,其特征在于:所述的石墨烯‑CuInS2量子点复合物通过溶剂热法在高压釜中合成,由还原态氧化石墨烯和黄铜矿型CuInS2量子点组成,CuInS2量子点粒径为2‑5 nm, CuInS2量子点以单层分散于石墨烯片层上和在石墨烯片层表面聚集形成三维聚集体两种形式存在,CuInS2量子点中Cu:In:S 的原子比为1:1.3:1.8。
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