[发明专利]一种具有高比电容的石墨烯及其制备方法

摘要

本发明属于纳米材料制备技术领域，具体为一种具有高比电容的石墨烯及其制备方法。具体步骤如下：首先将MCM-22分子筛浸渍在碳源、镍盐和浓硫酸的混合液中，让碳源分子和Ni2+离子充分的进入到MCM-22分子筛的层与层之间，然后在低温下预碳化；再在高温、惰性气体的保护下焙烧一段时间，得到石墨烯和MCM-22分子筛的复合物；最后将此复合物中的MCM-22分子筛和镍溶解，通过离心分离，并干燥即可得石墨烯。这种方法制备的石墨烯具有大的比表面积、高的导电性、可控的二维尺寸和层数。其可以作为超级电容器的电容材料，具有优良的电容性能。该方法操作简单，成本较低，重现性好，可用于大规模制备。

主权项

一种具有高比电容的石墨烯的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)将MCM‑22分子筛加入到碳源、浓硫酸和镍盐的混合水溶液中浸渍，室温搅拌，使其溶解后，于60‑200℃温度下进行预碳化处理得到固体粉末；其中MCM‑22、碳源、镍盐和浓硫酸的质量比为1：（1～3）：（0.02～0.06）：（0.1～0.3）；（2）将步骤（1）得到的固体粉末放入到真空管式炉中，惰性气体保护下，在500‑1200℃的温度下焙烧1‑3小时，得到Ni‑MCM‑22/石墨烯复合材料；（3）将步骤（2）制备得到的Ni‑MCM‑22/石墨烯复合材料进行去除镍、去除MCM‑22处理后，离心分离、并干燥即可得高比电容石墨烯粉末。