[发明专利]一种溶液法双极性薄膜晶体管及其制备方法无效
申请号: | 201210472647.5 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN102931350A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 冯林润;徐小丽;唐伟;陈苏杰;郭小军 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 祖志翔 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种溶液法双极性薄膜晶体管及其制备方法,属于柔性电子技术领域。所述晶体管为堆叠结构,包括绝缘衬底、栅电极、栅极绝缘层、n型无机半导体层、源/漏电极、电极修饰材料和P型有机半导体层;所述制备方法包括:首先在绝缘衬底上制备栅电极,其次在栅电极上制备栅极绝缘层,然后在栅极绝缘层上制备n型无机半导体,接着在n型无机半导体上分离地制备源/漏电极,继续在源/漏电极表面修饰电极修饰材料,最后在n型无机半导体和电极修饰材料上制备P型有机半导体层。本发明具有良好的工艺兼容性和冗余度,适用于柔性电子中的互补性逻辑电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 溶液 极性 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种溶液法双极性薄膜晶体管,其特征是,所述晶体管为堆叠结构,其包括绝缘衬底(11)、栅电极(12)、栅极绝缘层(13)、n型无机半导体层(14)、源/漏电极(15)、电极修饰材料(16)和P型有机半导体层(17);其中:所述绝缘衬底(11)位于所述晶体管的最底层,所述栅电极(12)位于所述绝缘衬底(11)之上,所述栅极绝缘层(13)覆盖在所述栅电极(12)之上,所述n型无机半导体层(14)覆盖于所述栅极绝缘层(13)之上,所述源/漏电极(15)分离地设于所述n型无机半导体层(14)上,所述电极修饰材料(16)修饰在所述源/漏电极(15)的表面上,所述P型有机半导体层(17)覆盖于所述n型无机半导体层(14)和电极修饰材料(16)之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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