[发明专利]一种溶液法双极性薄膜晶体管及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210472647.5 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN102931350A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 冯林润;徐小丽;唐伟;陈苏杰;郭小军 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 祖志翔
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种溶液法双极性薄膜晶体管及其制备方法,属于柔性电子技术领域。所述晶体管为堆叠结构,包括绝缘衬底、栅电极、栅极绝缘层、n型无机半导体层、源/漏电极、电极修饰材料和P型有机半导体层;所述制备方法包括:首先在绝缘衬底上制备栅电极,其次在栅电极上制备栅极绝缘层,然后在栅极绝缘层上制备n型无机半导体,接着在n型无机半导体上分离地制备源/漏电极,继续在源/漏电极表面修饰电极修饰材料,最后在n型无机半导体和电极修饰材料上制备P型有机半导体层。本发明具有良好的工艺兼容性和冗余度,适用于柔性电子中的互补性逻辑电路。
搜索关键词: 一种 溶液 极性 薄膜晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种溶液法双极性薄膜晶体管,其特征是,所述晶体管为堆叠结构,其包括绝缘衬底(11)、栅电极(12)、栅极绝缘层(13)、n型无机半导体层(14)、源/漏电极(15)、电极修饰材料(16)和P型有机半导体层(17);其中:所述绝缘衬底(11)位于所述晶体管的最底层,所述栅电极(12)位于所述绝缘衬底(11)之上,所述栅极绝缘层(13)覆盖在所述栅电极(12)之上,所述n型无机半导体层(14)覆盖于所述栅极绝缘层(13)之上,所述源/漏电极(15)分离地设于所述n型无机半导体层(14)上,所述电极修饰材料(16)修饰在所述源/漏电极(15)的表面上,所述P型有机半导体层(17)覆盖于所述n型无机半导体层(14)和电极修饰材料(16)之上。
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