[发明专利]闪存器件的形成方法

摘要

一种闪存器件的形成方法，包括：半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域表面具有隧穿氧化层和浮栅层；在第一区域的浮栅层表面以及第二区域的半导体衬底表面形成介质层；对第二区域的半导体衬底进行离子注入，形成相邻的第一阱区和第二阱区，并在每次离子注入工艺后去除介质层；之后，在第一区域的介质层表面以及第二区域的半导体衬底表面形成栅氧化层和栅极层；刻蚀第一区域的部分栅极层、栅氧化层、介质层和浮栅层，形成相邻的第一栅极结构和第三栅极结构；刻蚀第二区域的部分栅极层，形成第二栅极结构，并同时刻蚀第三栅极结构的部分栅极层和介质层，在第三栅极结构内形成开口。所述闪存器件的制造方法工艺简单，成本低廉。

主权项

一种闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成闪存单元，所述第二区域用于形成逻辑单元，所述第一区域的半导体衬底表面具有隧穿氧化层、以及所述隧穿氧化层表面的浮栅层，所述第一区域的浮栅层表面、以及第二区域的半导体衬底表面具有介质层；对所述第二区域的半导体衬底进行第一次离子注入，形成第一阱区；去除所述第一阱区表面的介质层；去除第一阱区的介质层后，对所述第二区域的半导体衬底进行第二次离子注入，形成与第一阱区相邻的第二阱区；去除所述第二阱区表面的介质层；在去除第一阱区和第二阱区表面的介质层之后，在第一区域的介质层表面、以及第二区域的半导体衬底表面形成栅氧化层、以及栅氧化层表面的栅极层；刻蚀第一区域的部分栅极层、栅氧化层、介质层和浮栅层，在第一区域的半导体衬底表面形成相邻的第一栅极结构和第三栅极结构；刻蚀第二区域的部分栅极层，分别在第一阱区和第二阱区的半导体衬底表面形成第二栅极结构，并同时刻蚀所述第三栅极结构的部分栅极层、栅氧化层和介质层，直至暴露出第三栅极结构内的浮栅层为止，在所述第三栅极结构内形成开口。