[发明专利]金属层的蚀刻方法及金属层的掩模结构

摘要

本发明提供了一种金属层的蚀刻方法及金属层的掩模结构。所述方法包括提供半导体结构，所述半导体结构包括金属层；形成媒介层覆盖所述金属层；形成硬掩膜层覆盖所述媒介层；形成光刻胶层覆盖所述硬掩膜层；对所述光刻胶层进行曝光显影，以图案化所述光刻胶层形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层暴露出部分所述硬掩膜层；蚀刻暴露部分的所述硬掩膜层及其下方的所述媒介层和所述金属层。本发明所提供的金属层的蚀刻方法，由于配合使用了硬掩膜层和媒介层，在蚀刻厚金属层的过程中不再蚀刻光刻胶层（或者说光刻胶掩膜层），因而不会在侧壁表面形成过多聚合物，从而避免侧壁因此出现断层的情况，提高了侧壁的平整度。

主权项

一种金属层的蚀刻方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括金属层；形成媒介层覆盖所述金属层；形成硬掩膜层覆盖所述媒介层；形成光刻胶层覆盖所述硬掩膜层；对所述光刻胶层进行曝光显影，以图案化所述光刻胶层形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层暴露出部分所述硬掩膜层；蚀刻暴露部分的所述硬掩膜层及其下方的所述媒介层和所述金属层，以在所述金属层内形成沟槽，保留的所述金属层作为金属互连线；所述媒介层为氧化硅层，所述硬掩膜层为氮化硅层；蚀刻暴露部分的所述氮化硅层及其下方的所述氧化硅层和所述金属层包括：用第一蚀刻组分蚀刻暴露部分的所述氮化硅层及其下方的所述氧化硅层，以暴露出部分所述金属层；用第二蚀刻组分蚀刻暴露部分的所述金属层；所述第一蚀刻组分蚀刻完暴露部分的所述氮化硅层及其下方的所述氧化硅层蚀刻完全时，所述光刻胶层被全部耗尽；所述第二蚀刻组分蚀刻完暴露部分的所述金属层时，所述氮化硅层被全部耗尽，而所述氧化硅层仍保留有部分；所述金属层厚度为2μm至8μm。