[发明专利]GaN基LED制造工艺中的一种背面金属反射层阵列的制作方法有效
| 申请号： | 201210472863.X | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102931300B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王强;李国琪;计建新 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED制造工艺中的金属反射层阵列的制作方法，所述GaN基LED包括衬底、外延层、透明电极层、金属电极层和氧化物保护层，其中所述金属反射层阵列的制作方法包括步骤用光刻胶在衬底的、与所述外延层相对的另一面上制备阵列图形掩模；通过刻蚀工艺，借助于所述阵列图形掩模，在衬底上刻蚀出阵列图形结构；在所述阵列图形结构上形成金属反射层；去除光刻胶以便对光刻胶表面的金属反射层进行剥离，从而得到最终的金属反射层。 | ||
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【主权项】：
一种GaN基LED制造工艺中的金属反射层阵列的制作方法，所述GaN基LED包括衬底、外延层、透明电极层、金属电极层和氧化物保护层，其中所述金属反射层阵列的制作方法包括步骤：用光刻胶在衬底的、与所述外延层相对的另一面上制备阵列图形掩模；通过刻蚀工艺，借助于所述阵列图形掩模，在衬底上刻蚀出阵列图形结构；在所述阵列图形结构上形成金属反射层；去除光刻胶以便对光刻胶表面的金属反射层进行剥离，从而得到最终的金属反射层。
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