[发明专利]应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法有效
| 申请号： | 201210473216.0 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839791A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郭晓波;孟鸿林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法，包括以下步骤：(1)在需要制作沟槽栅的硅片上经由光刻和刻蚀的方法形成沟槽；(2)第一栅氧化层的生长；(3)光刻胶的涂布和烘烤；(4)用曝光、显影的方法在沟槽顶角处形成光刻胶图形；(5)用湿法刻蚀的方法去掉除沟槽顶角处以外的第一栅氧化层，保留沟槽顶角处的第一栅氧化层，然后去除光刻胶图形；(6)第二栅氧化层的生长；(7)多晶硅的填充；(8)经由光刻和刻蚀的方法形成最终所需的由多晶硅和栅氧化层组成的沟槽栅结构。本发明解决了传统方法中由于在沟槽顶角处电场集中而导致的击穿电压降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 沟槽 mos 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在需要制作沟槽栅的硅片上经由光刻和刻蚀的方法形成沟槽；（2）第一栅氧化层的生长；（3）光刻胶的涂布和烘烤；（4）用曝光、显影的方法在沟槽顶角处形成光刻胶图形；（5）用湿法刻蚀的方法去掉除沟槽顶角处以外的第一栅氧化层，保留沟槽顶角处的第一栅氧化层，然后去除光刻胶图形；（6）第二栅氧化层的生长；（7）多晶硅的填充；（8）经由光刻和刻蚀的方法形成最终所需的由多晶硅和栅氧化层组成的沟槽栅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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