[发明专利]利用光反射原理测量晶圆传输中变形量的方法无效
| 申请号： | 201210473445.2 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102931117A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 吴伟;仲高艳;顾庆东 | 申请（专利权）人： | 苏州矽科信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种利用光反射原理测量晶圆传输中变形量的方法，包括步骤：S1，在晶圆载台旁安装激光发射器和刻度尺，获取给定厚度测试块在刻度尺上数据，并在晶圆片圆心及圆周等分点上加以标记；S2，传输晶圆片到晶圆载台上方，获取晶圆片圆心标记处在刻度尺上数据；S3，移动并转动激光发射器和刻度尺，依次获取晶圆片圆周各标记处在刻度尺上数据；S4，根据晶圆片各标记处及测试块在刻度尺上数据，计算晶圆片变形量并绘制晶圆变形曲线。本发明针对晶圆片传输过程中变形量较小，不便测量的问题，提出一种简单、实用的利用光反射原理测量晶圆传输中变形量的方法，为改进与优化晶圆传输机械结构提供依据，为结构优化前后性能比较提供评价数据。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 反射 原理 测量 传输 变形 方法 | ||
【主权项】：
一种利用光反射原理测量晶圆传输中变形量的方法，其特征在于，包括步骤：S1，在晶圆载台旁安装激光发射器和刻度尺，获取给定厚度测试块在刻度尺上数据，并在晶圆片圆心及圆周等分点上加以标记；S2，传输晶圆片到晶圆载台上方，获取晶圆片圆心标记处在刻度尺上数据；S3，移动并转动激光发射器和刻度尺，依次获取晶圆片圆周各标记处在刻度尺上数据；S4，根据晶圆片各标记处及测试块在刻度尺上数据，计算晶圆片变形量并绘制晶圆变形曲线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
