[发明专利]一种高温改善多晶硅表面粗糙度的方法无效
| 申请号： | 201210473619.5 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103835000A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 成鑫华;高杏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善多晶硅表面粗糙度的方法，包含如下步骤：1）在介质层或单晶硅上生长高温多晶硅；2）利用超快退火工艺，使多晶硅熔融，并再结晶。本发明利用超快退火工艺，传送一定量的能量至硅片表面以熔融某些预期多晶硅区域，进行再结晶。重新结晶后的多晶硅粒趋向单晶转变，其表面趋向于更平坦，从而改善多晶硅表面粗糙度，保证了工艺的流畅性，提高了器件的特性。本发明可以很好的解决外延生长后多晶硅区域表面粗糙严重的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 改善 多晶 表面 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
一种改善多晶硅表面粗糙度的方法，其特征在于，包含如下步骤：1）在介质层或单晶硅上生长高温多晶硅；2）利用超快退火工艺，使多晶硅熔融，并再结晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210473619.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
