[发明专利]一种光电二极管和制作方法有效
申请号: | 201210473897.0 | 申请日: | 2012-11-20 |
公开(公告)号: | CN102956717A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 韩盈盈;吴凡;李长顺 | 申请(专利权)人: | 青岛歌尔声学科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/102;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;董垚 |
地址: | 266061 山东省青岛市崂山区秦*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种光电二极管和制作方法。本发明提供的光电二极管包括:金属外壳、透光罩、用于屏蔽电磁干扰的金属屏蔽组件、PN结、第一管脚、第二管脚和具有金属外层的底座;所述透光罩设置于所述金属外壳的顶端,所述金属外壳的底端与所述底座连接;所述PN结位于所述底座上,所述第一管脚与所述PN结的阳极电连接,所述第二管脚与所述PN结的阴极电连接;所述金属屏蔽组件位于所述金属外壳内,所述金属屏蔽组件的底端与所述底座的金属外层电连接,所述PN结位于金属屏蔽组件内。本发明提供的技术方案能够解决现有的光电二极管存在无法有效屏蔽电磁干扰的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电二极管 制作方法 | ||
【主权项】:
一种光电二极管,其特征在于,该光电二极管包括:金属外壳、透光罩、用于屏蔽电磁干扰的金属屏蔽组件、PN结、第一管脚、第二管脚和具有金属外层的底座;所述透光罩设置于所述金属外壳的顶端,所述金属外壳的底端与所述底座连接;所述PN结位于所述底座上,所述第一管脚与所述PN结的阳极电连接,所述第二管脚与所述PN结的阴极电连接;所述金属屏蔽组件位于所述金属外壳内,所述金属屏蔽组件的底端与所述底座的金属外层电连接,所述PN结位于所述金属屏蔽组件内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛歌尔声学科技有限公司,未经青岛歌尔声学科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210473897.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的