[发明专利]一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法无效

专利信息
申请号: 201210474290.4 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN103834922A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 虞建忠 申请(专利权)人: 虞建忠
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234 代理人: 李大刚
地址: 313012 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法,在靶材(2)内侧设有夹具(3),夹具(3)与靶材(2)之间形成闭合磁场(4),靶材(2)上的离子受磁场轰击,离子在磁场约束的环境中,向夹具(3)悬挂镀件方向沉积。本发明使相邻磁控管的所述外磁极为相反极性,使得磁场在所述外磁极之间延伸,以防止离子化的电子在相邻磁控管之间的实质逃逸,是的电子不会损失且可以增强离子化形核速率和镀层的组织结构和致密性增强,并使得镀层更加均匀。
搜索关键词: 一种 平衡 磁控溅射 离子镀 磁场 闭合 状态 控制 方法
【主权项】:
一种非平衡磁控溅射离子镀磁场闭合状态控制方法,其特征在于:在靶材(2)内侧设有夹具(3),夹具(3)与靶材(2)之间形成闭合磁场(4),靶材(2)上的离子受磁场轰击,离子在磁场约束的环境中,向夹具(3)悬挂镀件方向沉积。
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