[发明专利]沟槽DMOS多晶硅回刻在线监控方法有效
| 申请号： | 201210474717.0 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103839846A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 方世栋;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了沟槽DMOS多晶硅回刻在线监控方法。其中，所述方法包括：提供用于多晶硅回刻在线监控的片上测试模块，所述片上测试模块具有沟槽，所述沟槽在水平面内呈等腰梯形的形状；将所述片上测试模块作为对象执行多晶硅填充和回刻操作，并且测量经过多晶硅填充和回刻操作后的所述片上测试模块在水平面内形成的沿所述等腰梯形高度方向上的沟槽宽度渐变图案的聚拢点位置处的沟槽宽度；基于所述聚拢点位置处的沟槽宽度监控当前的多晶硅回刻操作是否满足预期的工艺要求。本发明所公开的沟槽DMOS多晶硅回刻在线监控方法具有高的时效性且成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 dmos 多晶 刻在 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽DMOS多晶硅回刻在线监控方法，所述方法包括下列步骤：（A1）提供用于多晶硅回刻在线监控的片上测试模块，所述片上测试模块具有沟槽，所述沟槽在水平面内呈等腰梯形的形状；（A2）将所述片上测试模块作为对象执行多晶硅填充和回刻操作，并且测量经过多晶硅填充和回刻操作后的所述片上测试模块在水平面内形成的沿所述等腰梯形高度方向上的沟槽宽度渐变图案的聚拢点位置处的横断面沟槽宽度；（A3）基于所述聚拢点位置处的沟槽宽度监控当前的多晶硅回刻操作是否满足预期的工艺要求。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210474717.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
